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2020年存儲行業十大事件:全球格局生變、價格跌宕起伏、國產芯片承壓突圍!

Carol Li ? 來源:電子發燒友網 ? 作者:李彎彎 ? 2020-12-01 08:51 ? 次閱讀

電子發燒友網報道(文/李彎彎)2020年已接近尾聲,這一年對于存儲行業來說是不同尋常的一年。首先,價格漲跌出乎尋常,年初DRAM、NAND因為疫情原因產能供應不足,價格大漲,行業預計今年全年存儲都將處于持續上漲的趨勢,然而第二季度開始存儲價格開始下跌,9月因為華為禁令更是引起NAND、DRAM價格暴跌,不過市場預計隨著數據中心建設加速,明年存儲價格將有望回調。
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其次,SK海力士發起收購英特爾NAND閃存業務,足以顛覆全球NAND市場的競爭格局。再者值得重點關注的是,今年對于國產存儲行業來說,可謂是飛速發展的一年,長江存儲推出128 3D NAND,進入國際主流水平,越來越多固態硬盤廠商紛紛推出基于長江存儲64層3D NAND的國產SSD產品,長鑫存儲DDR4量產,多家內存條廠商推出基于長鑫內存顆粒的內存條,國內多家NOR Flash廠商推出并量產50nm/48nm的產品,進入新一代工藝水平。
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一、存儲芯片價格年初上漲,后持續下跌
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今年年初,存儲價格長勢明顯,據3月11日報道,據渠道商透露,三星等多家主要供應商已經通知下季度DRAM、NAND Flash合約價,漲幅都達雙位數。
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漲價的原因主要有,一是中國內地主要大廠停工、出貨不順,而渠道商庫存降低;二是疫情沖擊全球經濟,存儲器市場受惠于疫情帶動宅經濟大好,網購、電商、線上游戲、電競游戲逆勢成長,第一季度三大存儲器需求仍強,其中,因數據中心擴大服務器建置,推升服務器用DRAM和NAND Flash需求更為強勁。
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當時行紛紛預測下半年DRAM市場供給將短缺,并推升價格上漲,NAND Flash下半年供應會更緊張。不過據6月份報道,存儲芯片總體的平均銷售價格,在二季度已出現了下滑的趨勢,現貨市場的價格也有下滑,今年10月份,DRAM 和 NAND 價格繼續遭遇集體暴跌,分析師認為,這是由于美國對華為的制裁所致,加劇了存儲芯片市場價格的下跌。
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Trend Force分析師認為,NAND 是受華為影響相對較小的市場,由于市場對 5G 網絡的需求增加,以及通信網絡產品的銷售增長,NAND 價格并未出現大幅下降的現象。此外預計明年上半年內存市場將出現反彈,由于主要數據中心公司的投資有所增加,明年對 DRAM 的需求預計將增長 20%。
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同時NOR Flash也喊漲價,明年上半年漲幅或達5-10%,隨著 TWS 耳機出貨放量,智能手機導入 OLED 面板,今年以來 NOR Flash 需求大增,但內存廠仍未開出新產能,第三季就已供給吃緊,到了第四季時已有業者漲價,反映供需吃緊的狀態。
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外資近期報告指出,明年上半年單季漲幅都達 5%,不過業者透露,漲幅預計超過此幅度,甚至上看10%。據悉,華邦電子本季 NOR Flash 已漲價 7-9%,明年上半年價格持續看漲,而旺宏則指出,明年上半年價格仍未談妥,對于市場熱議明年上半年價格走勢正向看待。
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二、SK海力士將以90億美元收購英特爾旗下NAND閃存芯片業務
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2020年10月20日消息,SK海力士和英特爾已經達成協議,前者將以90億美元收購英特爾的NAND閃存及存儲業務,具體包括英特爾NAND SSD業務、NAND部件及晶圓業務,以及其在中國大連的NAND閃存制造工廠。
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兩家公司將爭取在2021年底前取得所需的政府機關許可,之后SK海力士將首先支付70億美元獲得英特爾的NAND SSD業務(包括NANDSSD相關知識產權和員工)以及大連工廠,預計到2025年3月,SK海力士最終支付20億美元收購其余相關資產,包括NAND閃存晶圓的生產及設計相關的知識產權、研發人員以及大連工廠的員工。
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本次收購之前,整個NAND 市場基本由三星、鎧俠、西部數據、美光、SK海力士以及英特爾六家廠商主導,其中三星、鎧俠、西部數據的市場占比依次是32%、18%、15%,美光、SK海力士以及英特爾分別占11%,可見SK海力士排名第三,英特爾排名第六。
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如果SK海力士完成對英特爾NAND業務的收購,即全球第三的NAND廠商收購了排名第六的廠商的NAND業務,可見收購完成之后全球NAND業務基本掌握在五家廠商手中,同時SK海力士能否很好的融合英特爾的NAND業務還是未知數,而長江存儲等新進入者正在強勢崛起,可見整個NAND市場的競爭格局將會發生很大變化。
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三、長江存儲推出 128 層 QLC 閃存,業界領先
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2020年4月13日消息,長江存儲宣布128層QLC 3D NAND 閃存研發成功,并已經在多家控制器廠商SSD等終端存儲產品上通過驗證,該公司此次共發布兩款產能品,一款是128層QLC規格的3D NAND閃存X2-6070,一款是128層512Gb TLC(3 bit/cell)規格閃存芯片X2-9060。
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值得一提的是,128層QLC規格的3D NAND閃存是業界首款,當前各大廠商推出的QLC規格基本是在96層。長江存儲128層NAND閃存最晚將于明年上半年開始量產,未來將在滿產時配合10萬片月產能,將在平衡全球供應上發揮關鍵作用。
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目前128層3D NAND是國際主流水平,三星、東芝、美光等都在2019年發布了128層3D NAND產品,而長江存儲用短短3年時間便實現了從32層到64層再到128層的跨越,長江存儲此次重點推出的128層QLC更直接參與國際競爭。
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此外需要注意的是,除了已經量產的128層3D NAND,英特爾預計將在今年年底實現更高層數144層產品的量產,三星正在開發176層第七代V-NAND,計劃明年4月實現量產,SK 海力士也正在進行176層3D NAND的研發,未來長江存儲也還是還需要繼續加快進度。
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四、長江存儲64 層3D NAND量產,獲多家存儲主控芯片支持及SSD廠商采用
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長江存儲2019年9月正式對外宣布,公司已開始量產基于Xtacking架構的64層3D NAND閃存,以滿足固態硬盤、嵌入式存儲等主流市場應用需求。長江存儲副總裁楊道虹今年年初表示,公司當前的任務是如期達成月產能10萬片,在二期項目中達到30萬片/月產能。
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隨著長江存儲64層3D NAND量產,得一微、群聯、慧容等主控芯片廠商紛紛表示公司主控支持長江存儲64層3D NAND,同時朗科、光威、臺電、國科微等固態硬盤廠商也陸續推出并開賣基于長江存儲64層3D NAND顆粒的純國產SSD產品,并且長江存儲還推出了自己的固態硬盤產品。
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2020年9月,朗科在京東上線了朗系列S520S固態硬盤,采用基于Xtacking架構創新研發的長江存儲64層TLC 3D NAND原廠顆粒,主控為得一微電子的SATA固態硬盤主控芯片YS9082HC。
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2020年5月,光威推出了SATA 6Gbps SSD光威弈Pro系列,搭載長江存儲量產的64層堆疊3D TLC閃存顆粒,采用自研領先的Xtacking架構,相比傳統架構存儲密度提升5倍,數據傳輸率翻番達到800Mbps,編程/擦寫循環可達3000次,容量可選240GB、256GB、512GB。主控芯片是聯蕓科技的MSA090X系列,采用SRAM融合Smart Cache架構設計。
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2020年11月18日,臺電科技聯合長江存儲,發布臺電純國產化固態硬盤騰龍系列DS10,該SSD采用長江存儲全新一代64層TLC閃存顆粒。作為一款純國產化系列固態硬盤,臺電騰龍系列DS10搭載了同樣來自國產廠商的聯蕓科技專業級SATA主控MAS0902A。讀寫性能達到強勁的550MB/s和520MB/s,媲美國際主流產品性能。
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?2020年5月14日,國科微與長江存儲在湖南長沙正式簽署長期供貨協議,在簽約儀式上,國科微預發布搭載長江存儲64層3D NAND顆粒的固態硬盤。4月26日,國科微與長江存儲舉行“云簽約”,批量采購長江存儲64層3D NAND顆粒,全年采購金額預計突破億元。
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9月10日,長江存儲推出致鈦系列兩款消費級固態硬盤(SSD)新品,分別為PCIe接口PC005 Active和SATA接口SC001 Active,兼具強勁的性能和可靠的品質。
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對于SSD來說,主控芯片與存儲顆粒的配合密不可分,據了解,國內知名主控廠商得一微電子全產品線存儲控制芯片(PCIe/SATA/eMMC/UFS/ NM/USB/SD)已全面支持長江存儲歷代NAND Flash顆粒。并且作為鉆石級生態合作伙伴,得一微與長江存儲于今年8月份正式簽署了Xtacking商標使用協議。
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閃存控制芯片群聯電子很早就開始與長江存儲接洽合作,目前群聯全系列NAND控制芯片已經全面支持長江存儲64層NAND,例如高階的PCIe SSD控制芯片PS5012、SATA SSD控制芯片PS3112、符合高速移動存儲需求的UFS控制芯片PS8318及eMMC控制芯片PS8229、NM Card (NanoMemory Card) 控制芯片PS8229、以及消費應用的SD與USB控制芯片等,均支持長江存儲的64層3D NAND,董事長潘健成指出,除了64層3D NAND以外,群聯也已經開始安排研發團隊著手支持長江存儲近期發布的128層3D NAND。
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2020年9月,慧榮科技宣布公司全系列主控芯片全面支持長江存儲Xtacking 3D NAND閃存,包括長江存儲最新研發成功的128層 Xtacking 3D TLC/QLC閃存,為全球市場注入更完整及更多元化的存儲解決方案。
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慧榮科技身為SSD主控芯片的市場領導者,近10年的NAND Flash主控出貨累積超過60億顆,憑借對NAND市場及技術的深入了解,與長江存儲保持緊密合作及技術交流, 并提供完整的主控芯片解決方案, 來提升存儲巿場的應用。?
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近些年來長江存儲在3D NAND技術迅速提升, 已成為閃存市場的主要供應廠商之一,今年成功推出128層QLC 3D NAND閃存芯片, 是目前行業內首款單顆 Die 容量 1.33Tb 的 NAND 閃存,可見,在技術的快速升級下,在越來越多的主控和固態硬盤廠商的支持下,長江存儲未來的市場競爭力也將迅速提升,國產NAND也將與國際大廠同臺競爭。
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五、長鑫存儲DDR4、LPDDR4x量產開賣,多家廠商推出國產內存條
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2020年2月,長鑫存儲正式在官網公開列出DDR4內存芯片、DDR4內存條、LPDDR4X內存芯片,全部產品都符合國際通行標準規范,并已開始接受上述產品的技術和銷售咨詢,據報道,長鑫DDR4內存芯片可匹配主流市場需求,支持多領域應用、多產品組合,并有充分的可靠性保障,預計到2020年底長鑫存儲的內存芯片月產能可達4萬片晶圓。
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隨著長鑫存儲內存芯片開賣,威剛、江波龍、七彩虹、金泰克等內存廠商紛紛推出基于長鑫存儲內存芯片的國產內存條。
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2020年5月,威剛宣布將在中國市場導入長鑫存儲的高質量、高效能內存顆粒,包括桌面級U-DIMM、筆記本級SO-DIMM。威剛表示,長鑫存儲的8Gb DDR4內存芯片,均以10nm級工藝,經過多次優化,制程工藝已達國際主流水平,并符合JEDEC設計生產規范、RoHS環保標準。
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2020年11月23日,江波龍嵌入式存儲品牌FORESEE宣布推出3款國產化內存,分別為DDR4 SODIMM 8GB、DDR4 UDIMM 8GB、DDR4 UDIMM 16GB,核心DRAM均采用長鑫存儲的顆粒,標志著中國存儲開始參與市場競爭。2019年9月,長鑫存儲發布與國際主流DRAM產品同步的10nm級第一代8Gb DDR4。目前長鑫存儲正使用其 10G1 技術來制造8Gb DDR4 存儲器芯片,經過多次迭代和優化,其工藝已進入國際化主流水平,其技術突破和自主制造已達到行業一流。
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2020年6月,七彩虹正式推出了自己的國產內存條產品“國創·戰戟”系列,采用了合肥長鑫的DDR4內存顆粒,由江波龍代工生產。七彩虹旗下內存產品現在分為四個檔次:其中戰斧系列是普通入門級的馬甲條;國創·戰戟系列是面向中低端市場的裸條,全系列標配國產顆粒;CVN系列為高端燈條,支持五大主板平臺ARGB同步;iGame系列則是主打玩家定制,定位于旗艦電競市場。
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2020年7月,金泰克推出全新的驍帥系列DDR4內存8GB DDR4-2666,該系列內存采用合肥長鑫存儲新一代顆粒,引用真正的國內芯片,據報道,金泰克首批發布DDR4 8GB 2666MHz,后續還會增加DDR4 16GB 2666MHz,DDR4 8GB/16GB 3200MHz系列產品。
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六、國內NOR Flash廠商陸續量產50nm產品,進入新一代工藝節點
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當前行業主流NOR Flash產品的工藝節點是65nm,其中Cypress和鎂光到了45nm,技術節點較為領先,旺宏目前最先進的制程是48nm,華邦58nm,國內兆易創新有少量55nm工藝節點的產品。今年以來,國內多家廠商陸續宣布50nm產品量產,包括武漢新芯、恒爍半導體、博雅科技、東芯半導體,著意味著國內諸多NOR Flash廠商都在進入新一代工藝節點。
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2020年5月13日,武漢新芯宣布其采用50nm Floating Gate工藝SPI?NOR Flash寬電壓產品系列XM25QWxxC全線量產,產品容量覆蓋16Mb到256Mb。武漢新芯運營中心副總裁孫鵬先生表示,XM25QWxxC系列產品采用業界先進的50nm FloaTIng Gate工藝,在性能和成本方面進一步提高了競爭力。針對快速發展的IoT和5G市場,武漢新芯將持續投入研發自有品牌的閃存產品,不斷拓展產品線,為客戶帶來更多高性價比的產品與解決方案。
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2020年5月22日,東芯半導體宣布公司進行自主研發、改良,升級,全新打造出的48nm Serial NOR Flash 產品正式上線,東芯當時表示該48nm NOR Flash 產品已經開始給客戶送樣測試,預計今年下半年開始量產。東芯總經理陳磊對電子發燒友表示,“在低功耗1.8V的產品規劃上,目前公司已經有了從64Mb到256Mb的產品,下一步將會向更高容量的512Mb產品延續,包括1Gb的SPI NOR FLASH。”
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2020年4月,恒爍半導體推出了第一款面向物聯網應用的 50nm 128Mb 高速低功耗 NOR Flash 存儲芯片,恒爍半導體呂向東6月份在接受電子發燒友采訪的時候表示,50nm128Mb NOR Flash芯片客戶驗證已經通過,預計Q3在很多應用市場大量出貨。呂向東談到,128Mb的產品是公司在50nm工藝下量產的第一款產品,今年年底計劃推出256Mb、64Mb的產品,明年會將全線產品都切入50nm技術工藝下。
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2020年7月31日,上海華力微電子有限公司與珠海博雅科技有限公司共同宣布,博雅科技研發的50nm 256M ETOX NOR Flash于2020年初在上海華力領先流片成功,現已成功量產。該產品是國內首顆50nm 256M NOR Flash,產品性能參數指標和國際一線品牌同類產品相比,達到同一水平甚至更高,其成功量產標志著國內NOR Flash高容量產品正式邁入50nm時代。
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七、TWS等可穿戴設備帶動NOR Flash市場規模增長
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NOR Flash芯片應用領域極其廣泛,幾乎所有需要存儲系統運行數據的電子設備都需要使用NOR Flash。當前在新興應用的推動下,市場對NOR Flash需求非常旺盛。
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以TWS耳機為例,據央視報道, 剛過去的“雙十一”購物狂歡節,TWS耳機銷量再創新高,蘇寧易購深圳大區消費電子公司總經理張維在央視采訪中表示,雙十一期間,無線藍牙耳機全渠道銷售額同比增長116%,其中AirPods Pro同比增長了360%。
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Counterpoint數據顯示,2017年、2018年、2019年,TWS耳機出貨量增速為118%、130%、183%,呈現飛速發展狀態。根據Counterpoint的預測,2020年TWS耳機的出貨量有望達2。3億臺。
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TWS耳機為了存儲更多固件和代碼程序,必須外擴一顆串行NOR Flash,一對TWS耳機則需要兩顆NOR Flash。隨著技術的不斷進步,以及相關企業為了保證自家TWS耳機具有較強的市場競爭力,TWS耳機功能將會持續增加,而功能的增加也就意味著NOR Flash容量需求的增多。
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八、數據中心等企業級需求將持續帶動DRAM、NAND市場增長
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今年年初,因為疫情原因,線上教育、線上娛樂、線上辦公等需求帶動服務器需求大增,三星、美光等存儲芯片廠商也因此受益,以美光為例,2020年7月,美光公布截至5月28日的第三季度業績顯示,公司第三季度營業收入為54.4億美元,同比增長13.6%,高于市場53.1億美元的預期。
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美光致力于銷售利潤更高的固態硬盤,該公司表示,第三財季硬盤銷量創下歷史新高,而四分之三的NAND芯片是作為其高附加值產品給公司帶來了極大的利潤。美光表示,預計到2020年下半年,消費者對智能手機和其他消費電子產品的需求將低于最初的預期,但數據中心需求強勁,因此美光計劃將DRAM和閃存芯片的供應從智能手機市場轉向數據中心市場。
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事實上今年服務器存儲芯片用市場需求增長跟年初疫情有關,但是當前5G、云計算、人工智能等快速發展,持續帶動服務器需求擴張,根據TrendForce集邦咨詢,明年服務器的出貨量大概還會持續6%到7%的成長,從DRAM市場來看,數據中心的落實是近年DRAM需求的主要推手,全年占DRAM市場五成以上的消耗量與三成以上的出貨量。
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九、大基金二期等資本增資存儲企業,加速國產化推進
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2020年11月11日消息,長鑫存儲母公司睿力集成獲得149億元增資,根據出資方兆易創新公告顯現,該公司擬出資3億元與長鑫集成、石溪集電、大基金二期、三重一創等多名投資人簽署協議,共同參與睿力集成增資事項,增資完成后,公司持有睿力集成約0.85%股權。
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本次增資前,睿力集成的注冊資本為189億元,其中石溪集電持股69.01%,長鑫集成持股30.99%;本次增資后,睿力集成的注冊資本將增至337.99億元,石溪集電和長鑫集成的持股比例分別將降至38.59%和19.72%,大基金二期和兆易創新將各自持股14.08%。

目前長鑫存儲是國內唯一量產國產DRAM內存的廠商,成立于2016年,公司專業從事動態隨機存取存儲芯片(DRAM)的設計、研發、生產和銷售,當前長鑫存儲已經完成首顆國產 DDR4 內存芯片的量產和銷售,并已推出第四代超低功耗雙倍速率同步動態隨機存儲器LPDDR4X及第四代高速模組DDR4模組。
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另外大基金二期還出資9.50億元參與設立沛頓存儲,沛頓存儲投資總額30.67億元,注冊資本30.60億元,其中,沛頓科技、大基金二期、合肥經開投創和中電聚芯分別現金出資17.10億元、9.50億元、3億元和1億元。
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沛頓存儲是存儲先進封測與模組制造項目的主體,該項目將主要建設包括DRAM存儲芯片封測、存儲模組、NAND存儲芯片封裝業務,預計全部達產后月產能分別4800萬顆、246萬條、320萬顆,建設期3年,可實現年產值28.63億元。
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可以預見,隨著大基金二期等資本陸續投資存儲企業,國內存儲產業在資本的加持下,將有更多能量繼續前進。
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十、更高的176層3D NAND,預計明年4月份量產
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從全球范圍來看,NAND Flash廠商主要有三星、鎧俠、美光、英特爾、西部數據、SK海力士,以及中國臺灣地區的旺宏、華邦,以及國內的長江存儲、兆易創新、東芯半導體、北京君正(收購北京矽成)等。
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目前三星、鎧俠、美光、英特爾、西部數據、SK海力士、長江存儲已經推出或量產3D NAND產品。128層是目前已經量產的最高層數,三星、SK海力士已經實現量產。美光公司在今年二季度財報電話會議中表示,公司即將開始基于全新 RG 架構的第四代 3D NAND?存儲器(128層)的量產工作,按計劃將于2020 Q3 開始生產,Q4 向客戶發貨。
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另外國產領先NAND Flash廠商長江存儲也已于今年4月份發布128層3D NAND產品,并將于今年年底或明年年初量產128層3D NAND。與2D NAND 相比,3D NAND 能夠實現更高的容量和性能、更低的功耗和成本,因此提高3D NAND?層數,產品的容量和性能將更高。
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這也是為什么眾多廠商都在積極研發和推出更高層數的3D NAND產品,據了解,英特爾預計將在今年年底實現更高層數144層產品的量產,三星正在開發176層第七代V-NAND,計劃明年4月實現量產。
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2020年存儲行業充斥著諸多變化,2021年可以預見將會有更多挑戰和突破。
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由于業務需要,媒體企業構建和使用的往往可能不是單一的云,通常包括了私有云、公有云在內的混合云,也可能....
的頭像 倩倩 發表于 12-21 15:18 ? 423次 閱讀
數字化轉型已經徹底改變了媒體行業的面貌

Intel發布二代傲騰SSD P5800X

今天,Intel就發布了基于新一代傲騰存儲介質的數據中心固態盤SSD P5800X,號稱同類產品世界....
的頭像 lhl545545 發表于 12-20 10:55 ? 1878次 閱讀
Intel發布二代傲騰SSD P5800X

華為OceanStor、中國移動成功交付超大規模分布式存儲集群

2020 年 9 月,中國移動集團網絡云 5GC(5G 核心網絡云)項目全面上線商用,領銜 5G 基....
的頭像 璟琰乀 發表于 12-20 10:39 ? 550次 閱讀
華為OceanStor、中國移動成功交付超大規模分布式存儲集群

英特爾舉辦線上活動,發布6款內存和存儲產品

2月15日、16日,英特爾舉辦了內存存儲日線上活動,發布6款全新內存和存儲產品。
的頭像 電子魔法師 發表于 12-19 09:50 ? 429次 閱讀
英特爾舉辦線上活動,發布6款內存和存儲產品

AI和機器學習推動云存儲和數據服務的業務價值

如果期望傳統的存儲和數據結構能夠提供云原生應用程序所需的可遷移性、規模和速度,那么一定會讓人感到失望....
的頭像 牽手一起夢 發表于 12-18 14:12 ? 439次 閱讀
AI和機器學習推動云存儲和數據服務的業務價值

計算型存儲: 異構計算的下一個關鍵應用

AWS re:Invent2019顯示AWS市場占用率達到45%,相比2018年營收增長29%。使用....
的頭像 璟琰乀 發表于 12-18 11:06 ? 184次 閱讀
計算型存儲: 異構計算的下一個關鍵應用

英特爾推出三款六款全新內存和存儲產品,助力企業應對數字化轉型

本次大會上,英特爾還宣布推出三款采用144層存儲單元的全新NAND固態盤,包括適用于主流計算的英特爾....
的頭像 牽手一起夢 發表于 12-17 14:15 ? 203次 閱讀
英特爾推出三款六款全新內存和存儲產品,助力企業應對數字化轉型

英特爾重磅發布六款全新內存和存儲產品

在今日舉行的2020英特爾內存存儲日活動上,英特爾重磅發布了六款全新內存和存儲產品,旨在幫助客戶駕馭....
的頭像 電子魔法師 發表于 12-17 14:14 ? 201次 閱讀
英特爾重磅發布六款全新內存和存儲產品

出售閃存的英特爾,存儲業務依然“風騷”

雷鋒網消息,12月15日、16日,英特爾舉辦了內存存儲日線上活動,重磅發布6款全新內存和存儲產品,包....
的頭像 璟琰乀 發表于 12-17 14:13 ? 284次 閱讀
出售閃存的英特爾,存儲業務依然“風騷”

江波龍旗下品牌FORESEE推出了內存產品DDR4 SO-DIMM

內存產品對電腦的性能不言而喻,在內存產品上吝嗇會嚴重損害電腦的性能,反之,一個好的內存產品可以讓一臺....
的頭像 電子觀察說 發表于 12-17 14:11 ? 348次 閱讀
江波龍旗下品牌FORESEE推出了內存產品DDR4 SO-DIMM

英特爾正式發布了全新一代的內存和存儲產品

2020年12月16日,北京?—— 在今日舉行的2020英特爾內存存儲日活動上,英特爾重磅發布了六款....
的頭像 電子觀察說 發表于 12-17 14:10 ? 336次 閱讀
英特爾正式發布了全新一代的內存和存儲產品

Intel一口氣發布六款全新存儲產品

今天舉辦的2020內存存儲日活動上,Intel一口氣發布了六款全新的內存、存儲新產品,首先來看面向數....
的頭像 lhl545545 發表于 12-17 09:58 ? 230次 閱讀
Intel一口氣發布六款全新存儲產品

英特爾正在開發5bit PLC SSD,大多數情況下可取代機械硬盤

根據外媒 Tom‘s Hardware 的消息,英特爾在今日舉行的 2020 英特爾內存存儲日活動上....
的頭像 璟琰乀 發表于 12-17 09:49 ? 752次 閱讀
英特爾正在開發5bit PLC SSD,大多數情況下可取代機械硬盤

IBM攜手富士膠片打造580TB存儲新品

據外媒最新報道稱,藍色巨人IBM跟富士膠片一起,創造出了新的存儲產品,其容量達到了580TB,能實現....
的頭像 如意 發表于 12-17 09:26 ? 190次 閱讀
IBM攜手富士膠片打造580TB存儲新品

臺電騰龍G40內存評測:開啟國產存儲新紀元

內存價格在這一兩年來飄忽不定,讓很多用戶望而止步。自從長鑫量產出了國產首款DDR4顆粒,內存價格逐漸....
的頭像 臺電存儲 發表于 12-16 18:00 ? 595次 閱讀
臺電騰龍G40內存評測:開啟國產存儲新紀元

亞馬遜AWS存儲業務今年營收將超過80億美元 有望達到100億美元

12月16日消息,據國外媒體報道,靠網絡銷售圖書起家的電商巨頭亞馬遜,也是目前全球最大的云計算服務提....
的頭像 工程師鄧生 發表于 12-16 10:56 ? 379次 閱讀
亞馬遜AWS存儲業務今年營收將超過80億美元 有望達到100億美元

【芯聞精選】SK海力士推出176層4D NAND閃存芯片;東芝和富士電機計劃在汽車功率半導體領域投資19億美元…

2月15日,SEMI今日在SEMICON Japan上發布了年終半導體設備預測。SEMI預計全球OE....
的頭像 21克888 發表于 12-16 09:41 ? 737次 閱讀
【芯聞精選】SK海力士推出176層4D NAND閃存芯片;東芝和富士電機計劃在汽車功率半導體領域投資19億美元…

NAND閃存的售價將在2021年全年將持續下滑

12月15日消息,據國外媒體報道,從8月份開始,外媒在報道中就多次提到全球范圍內NAND閃存供應過剩....
的頭像 電子魔法師 發表于 12-16 09:09 ? 254次 閱讀
NAND閃存的售價將在2021年全年將持續下滑

NAND 閃存平均售價在 2021 年全年都將持續下滑

12 月 15 日消息,據國外媒體報道,從 8 月份開始,外媒在報道中就多次提到全球范圍內 NAND....
的頭像 工程師鄧生 發表于 12-15 18:10 ? 680次 閱讀
NAND 閃存平均售價在 2021 年全年都將持續下滑

176層NAND閃存芯片的特點性能及原理

從96層NAND閃存芯片開始,海力士一直在推動4D技術的發展。本文介紹的176層NAND芯片,已經發....
發表于 12-15 17:55 ? 313次 閱讀
176層NAND閃存芯片的特點性能及原理

本土存儲廠商如何實現國產替代?

把“國產替代”這一命題拋給本土存儲廠商,應當如何作答?自成立以來便堅持自主設計的東芯半導體,已在此問....
的頭像 我快閉嘴 發表于 12-15 16:20 ? 337次 閱讀
本土存儲廠商如何實現國產替代?

光威128GB顆粒與致鈦256GB顆粒的主控區別

DIY在我國大陸興起大概是在21世紀出,那時候DIY的精髓是花更少的錢擁有更強的電腦性能,與那時候財....
的頭像 lhl545545 發表于 12-15 14:00 ? 316次 閱讀
光威128GB顆粒與致鈦256GB顆粒的主控區別

Google 服務遭遇全球大面積宕機,主因內部存儲配額問題

12月15日 消息:12月14日,Google 服務遭遇全球大面積宕機,旗下Gmail、Google....
的頭像 工程師鄧生 發表于 12-15 13:56 ? 293次 閱讀
Google 服務遭遇全球大面積宕機,主因內部存儲配額問題

2021年NAND Flash價格仍將逐季下跌 季跌約10~15%

市調機構集邦咨詢(TrendForce)旗下半導體研究處的最新報告稱,由于NAND Flash的供應....
的頭像 21克888 發表于 12-15 10:13 ? 1171次 閱讀
2021年NAND Flash價格仍將逐季下跌 季跌約10~15%

明年首季NAND Flash供過于求態勢將更加明顯

根據TrendForce集邦咨詢旗下半導體研究處指出,2021年NAND Flash各類產品總需求位....
的頭像 我快閉嘴 發表于 12-15 09:31 ? 418次 閱讀
明年首季NAND Flash供過于求態勢將更加明顯

非結構化數據存儲對存儲空間提出了嚴峻的考驗

移動通信進入5G時代,每秒傳輸1GB數據,也加速推動著直播和短視頻自媒體等行業向高清、便捷、高效的全....
的頭像 電子魔法師 發表于 12-14 09:48 ? 411次 閱讀
非結構化數據存儲對存儲空間提出了嚴峻的考驗

TDK推出使用3D NAND閃存的高可靠性SSD

隨著3D閃存技術的發展,容量超過1 TB的閃存解決方案得到了越來越廣泛的應用,對于數據可靠性的要求也....
發表于 12-11 13:50 ? 298次 閱讀
TDK推出使用3D NAND閃存的高可靠性SSD

晶圓制造重鎮遇地震,對半導體產業影響幾何?

月初就發生過“停電門”的美光臺灣工廠再次成為關注的焦點,公司表示,美光臺灣區所有員工均平安無虞;該地....
的頭像 我快閉嘴 發表于 12-11 12:11 ? 527次 閱讀
晶圓制造重鎮遇地震,對半導體產業影響幾何?

解讀致鈦SSD、3D NAND的故事

這是因為,Xtacking架構將閃存陣列的工藝和CMOS邏輯器件工藝分割隔離,從這一程度上講,利用X....
的頭像 旺材芯片 發表于 12-11 09:52 ? 354次 閱讀
解讀致鈦SSD、3D NAND的故事

芯片產能吃緊對北京君正有何影響?

12月10日,北京君正在最新發布的投資者關系活動記錄表表示,現在芯片產能吃緊,對君正原有業務有一定的....
的頭像 我快閉嘴 發表于 12-11 09:43 ? 767次 閱讀
芯片產能吃緊對北京君正有何影響?

堅果R2支持90Hz高刷新率

隨著雙12的臨近,越來越多的手機廠商公布了此次活動期間購買自家手機的優惠詳情。12月9日,CNMO了....
的頭像 lhl545545 發表于 12-10 13:51 ? 241次 閱讀
堅果R2支持90Hz高刷新率

核心商務區能源中心周界防范系統的功能特點及應用分析

能源中心的發電裝機容量12兆瓦,集中供能系統以分布式供能系統為主導,電制冷和燃氣鍋爐等為補充,充分考....
發表于 12-10 10:52 ? 252次 閱讀
核心商務區能源中心周界防范系統的功能特點及應用分析

SK海力士完成176層NAND閃存開發;聯發科CEO:明年Q1發布全新5G旗艦芯片…

12月8日消息,華為在北京發布了其首款商用臺式機——HUAWEIMateStationB515,該產....
的頭像 21克888 發表于 12-10 09:31 ? 1160次 閱讀
SK海力士完成176層NAND閃存開發;聯發科CEO:明年Q1發布全新5G旗艦芯片…

了解nandflash當前發展狀況

SLC 的優點是速度最快,最耐用,但缺點是價格昂貴,并且無法提供更高的存儲容量。SLC 是企業使用的....
的頭像 玩轉單片機 發表于 12-09 16:50 ? 236次 閱讀
了解nandflash當前發展狀況

NAND FLASH的現狀與未來發展趨勢

   關于存儲器件,在數月之前我們提到過NOR FLASH,并簡略地將之與EMMC、SRAM、NAND FLASH ...
發表于 11-19 09:09 ? 225次 閱讀
NAND FLASH的現狀與未來發展趨勢

如何選擇合適的電感值來存儲足夠的能量?

工程復合磁芯使器制造商可將大電感集成到小體積中。FlakeComposite新技術將磁芯性能提升到了一個新的水平,并增加了額外的機械...
發表于 10-30 06:04 ? 0次 閱讀
如何選擇合適的電感值來存儲足夠的能量?

NAND FLASH版本核心板使用說明

前言NAND FLASH版本和eMMC版本核心板使用方法基本一致。本文主要描述NAND FLASH版本與eMMC版本核心板在...
發表于 09-08 10:56 ? 202次 閱讀
NAND FLASH版本核心板使用說明

請問如何在NAS網絡存儲中正確創建存儲池?

通過NAS網絡存儲,你可將多個硬盤合并為一個稱之為存儲池的單一存儲設備。卷可在存儲池之上創建。如果存儲池有可分配空間,則...
發表于 09-01 18:05 ? 202次 閱讀
請問如何在NAS網絡存儲中正確創建存儲池?

請問SD怎樣做到循環存儲?

請教一下SD怎樣做到循環存儲呢?
發表于 08-28 02:21 ? 101次 閱讀
請問SD怎樣做到循環存儲?

AES參考設計的SD / MMC卡上的USB高速設備海量存儲

采用AES參考設計的SD / MMC卡上的USB高速設備海量存儲。該參考設計演示了基于AT32UC3A3的USB大容量存儲設...
發表于 07-21 13:15 ? 202次 閱讀
AES參考設計的SD / MMC卡上的USB高速設備海量存儲

消費電子產品需要越來越多的容量來存儲數字內容

消費電子產品需要越來越多的容量來存儲數字內容。對于MC9328MX1和MC9328MXL,MC9328MXS,(i.MX1 / L / S...
發表于 06-18 14:17 ? 418次 閱讀
消費電子產品需要越來越多的容量來存儲數字內容

關于將Virtex-6 IO標準連接到Flash IO標準的問題如何解決

親愛的專家, 我對FPGA很新,所以如果我的問題很愚蠢,我很抱歉。 我正在開發一個使用Virtex 6設計NAND閃存控制器的項...
發表于 06-17 14:21 ? 153次 閱讀
關于將Virtex-6 IO標準連接到Flash IO標準的問題如何解決

關于STM32存儲器擴展的疑問誰知道

今天看開發板上,FLASH是用W25X16擴展的,容量為2MB,那么我想請問為什么原子師兄說不能用來存儲程序呢?求解釋原因...
發表于 06-11 04:35 ? 152次 閱讀
關于STM32存儲器擴展的疑問誰知道

當判斷收到了正確的鍵值存儲當前時間,接著不停判斷接收到重復值如何配置時間?

  當判斷收到了正確的鍵值 存儲當前時間,接著不停判斷接收到重復值,超過設定時間做對應事,中間沒收到重復值就重置時...
發表于 06-08 10:21 ? 152次 閱讀
當判斷收到了正確的鍵值存儲當前時間,接著不停判斷接收到重復值如何配置時間?
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